特許
J-GLOBAL ID：201303024200025207
シリコン膜の形成方法およびその形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-116061
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033933
出願日： 2012年05月21日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：
【課題】ボイドやシームの発生を抑制することができるシリコン膜の形成方法およびその形成装置を提供する。【解決手段】シリコン膜の形成方法は、第1成膜工程と、エッチング工程と、ドープ工程と第2成膜工程とを備えている。第1成膜工程では、被処理体の溝を埋め込むように不純物でドープされていないノンドープシリコン膜を成膜する。エッチング工程では、第1成膜工程で成膜されたノンドープシリコン膜をエッチングする。ドープ工程では、エッチング工程でエッチングされたノンドープシリコン膜を不純物でドープする。第2成膜工程では、ドープ工程でドープされたシリコン膜を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
表面に溝が形成された被処理体の溝にシリコン膜を形成するシリコン膜の形成方法であって、
前記被処理体の溝を埋め込むように不純物でドープされていないノンドープシリコン膜を成膜する第1成膜工程と、
前記第1成膜工程で成膜されたノンドープシリコン膜をエッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程でエッチングされたノンドープシリコン膜を不純物でドープするドープ工程と、
前記ドープ工程でドープされたシリコン膜を埋め込むように、不純物がドープされたシリコン膜を成膜する第2成膜工程と、
を備える、ことを特徴とするシリコン膜の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F045AA06
, 5F045AB03
, 5F045AC01
, 5F045AC19
, 5F045AD05
, 5F045AD06
, 5F045AD07
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AE17
, 5F045AE19
, 5F045DA52
, 5F045DA67
, 5F045DP19
, 5F045EK06
, 5F045HA03
, 5F045HA13
