不揮発性メモリ装置及びその駆動方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-046477
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210503
出願日： 2008年02月27日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】不揮発性メモリ装置、特に、不揮発性メモリ装置の駆動方法を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置の駆動方法は、駆動されるメモリセルの構造的な位置を判別するステップと、前記判別結果により、前記メモリセルに属したしきい電圧の分布に応じる駆動条件で駆動するステップと、を含む駆動方法。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリ装置の駆動方法であって、駆動されるメモリセルの構造的な位置を判別するステップと、前記判別結果により、最適化された駆動条件で前記メモリセルを駆動するステップと、を含む駆動方法。

IPC (7件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

G11C17/00 611E , G11C17/00 601T , G11C17/00 622E , G11C17/00 634Z , G11C17/00 633Z , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (29件)：

5B125BA01 , 5B125CA27 , 5B125CA28 , 5B125DA09 , 5B125DB09 , 5B125DC08 , 5B125DC12 , 5B125EA05 , 5B125EC06 , 5B125ED04 , 5B125ED05 , 5B125EF02 , 5B125EF03 , 5B125EF09 , 5B125FA01 , 5B125FA02 , 5B125FA07 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP27 , 5F083EP76 , 5F083GA10 , 5F083GA11 , 5F083GA21 , 5F083PR01 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD34

引用特許：

審査官引用 (21件)

アナログおよびデジタル記憶用の電気的に書換え可能な不揮発性半導体メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-507740 出願人：インフォメーション・ストレジ・デバイシーズ・インコーポレーテッド
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-224922 出願人：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-030408 出願人：株式会社東芝

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