半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：赤澤日出夫 , ▲橋▼場満枝 , 石戸久子 , 山口栄一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219132
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349033
特許番号：特許第3670524号
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】反応室に基板を搬入する基板搬入工程と、前記反応室内で基板を昇温する基板昇温工程と、前記反応室に成膜用ガスを供給し、前記基板上に薄膜を成膜する基板成膜工程と、成膜後の基板を前記反応室から搬出する基板搬出工程とを有する枚葉装置による半導体装置の製造方法において、前記反応室内に基板がほぼ水平に配置され、前記反応室内には前記基板を挟んで互いに対向する位置にガス供給口および排気口がそれぞれ設けられると共に、前記ガス供給口および排気口が基板の成膜面を挟んで対向する位置に設けられ、少なくとも前記基板昇温工程時に、少なくとも一つの前記ガス供給口から所定のガスを供給しつつ、かつすべての排気口から前記所定のガスを排気し、前記基板成膜工程においては前記基板の成膜面に対して前記成膜ガスをほぼ平行に流すと共に前記成膜ガスの流れの向きを所定回数変えて流す半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C23C 16/455

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , C23C 16/455

引用特許：

審査官引用 (21件)

単結晶薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-129947 出願人：信越半導体株式会社
基板の熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-142362 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-057249 出願人：株式会社東芝

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