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J-GLOBAL ID:200903010498879382
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004284643
Publication number (International publication number):2006098721
Application date: Sep. 29, 2004
Publication date: Apr. 13, 2006
Summary:
【課題】PEB温度依存性、ラインエッジラフネス、パターンプロファイルに優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】ラクトン構造を有する基を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、活性光線又は放射線の照射によりフッ素置換された炭素数2または3のアルカンスルホン酸を発生する化合物、及び溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
(A)一般式(A1)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、
(B)活性光線又は放射線の照射によりフッ素置換された炭素数2または3のアルカンスルホン酸を発生する化合物、及び
(C)溶剤
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
FI (3):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
F-Term (16):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB15
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC06
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CC03
, 2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (19)
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高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-165085
Applicant:信越化学工業株式会社
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レジスト樹脂用モノマーおよびそれを重合単位として含むレジスト用樹脂
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-351365
Applicant:株式会社東芝
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日本特許第3042618号公報
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ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-285762
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-238542
Applicant:住友化学工業株式会社
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化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-104302
Applicant:住友化学工業株式会社
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化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-021687
Applicant:住友化学工業株式会社
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ガスケット用低有害性塩素含有樹脂配合物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-285858
Applicant:株式会社豊成
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中継交換機およびそのPBX中継接続方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-080716
Applicant:日本電気通信システム株式会社
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ポジ型感光性組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-069052
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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毛髪化粧料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-080574
Applicant:興和株式会社
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高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-244664
Applicant:信越化学工業株式会社
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レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-050264
Applicant:富士通株式会社
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レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-320105
Applicant:富士通株式会社
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日本特許第2776273号公報
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放射線感光材料及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-282664
Applicant:ダイセル化学工業株式会社
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レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-312722
Applicant:富士通株式会社
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化学増幅型ホトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-011581
Applicant:東京応化工業株式会社
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化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-012406
Applicant:住友化学工業株式会社
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Cited by examiner (5)
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