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J-GLOBAL ID：201603003561859230
ガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物、ガイドパターン形成方法、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (4)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012537737
Patent number：5885143
Application date： Oct. 05, 2011
Claim (excerpt)：
【請求項1】 基板上に形成した複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を相分離させるために用いられるガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物であって、
酸の作用により極性が増大し、有機溶剤を含有する現像液に対する溶解性が減少する基材成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、
前記基材成分(A)は、3〜7員環のエーテル含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位、及び5〜7員環のカーボネート含有環式基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の構成単位(a2)と、酸解離性基を含み、α位の炭素原子に水素原子以外の原子又は置換基が結合していてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位(a1)を有する樹脂成分(A1)を含有し、
前記酸発生剤成分(B)は、下記一般式(b1)又は(b2)のいずれかで表される少なくとも1種の化合物からなる酸発生剤(B1)を含むことを特徴とするガイドパターン形成用ネガ型現像用レジスト組成物。
[式中、Lはアンチモン原子、ホウ素原子又はリン原子を表し;M、Nはそれぞれ独立してフッ素原子、ペンタフルオロフェニル基、又は炭素数1〜5のパーフルオロアルキル基を表し;Lがアンチモン原子又はホウ素原子の場合、m1は4であり、Lがリン原子の場合、m1は6でありn1は0からm1までの整数であり;R1は、それぞれ独立に、少なくとも1の水素原子がフッ素置換されている炭素数1〜10のアルキル基であり、2つのR1は互いに結合して環を形成していてもよく;Z+は有機カチオンを表す。]
IPC (5)：
G03F 7/004 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/40 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/004 503 A
, G03F 7/039 601
, G03F 7/038 601
, G03F 7/40 521
, H01L 21/30 502 D
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Article cited by the Patent：
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Cited by examiner (2)
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