特許
J-GLOBAL ID：200903000510276014
キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314694
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152883
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】本発明は半導体装置用基板に埋め込むキャパシタ素子に関し、薄型化及び生産性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】キャパシタ素子20は、支持体21が有機ポリシラン製の膜である構成であり、搭載される半導体素子と同じ大きさを有する。キャパシタ素子20は、有機ポリシラン製の膜状の支持体21と、膜状支持体21の上面に形成してあるキャパシタ部22と、膜状支持体21の上面に形成してあり、キャパシタ部22を覆う絶縁層23と、膜状支持体21の下面に露出している信号用端子24、25、電源用端子26及び接地用端子27と、絶縁層23の上面に突き出ている半田バンプ28とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
有機ポリシラン製であり且つ膜状である有機ポリシラン膜状支持体上に、電極が誘電体層を挟んで対向するキャパシタ部を有する構成としたことを特徴とするキャパシタ素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L23/12 B
, H01L23/12 D
出願人引用 (23件)
全件表示
審査官引用 (18件)
全件表示
前のページに戻る
