特許
J-GLOBAL ID：200903009899317427

半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置

発明者：
大井 淳

大井 淳 について

, 
堀川 泰愛

堀川 泰愛 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-314695
公開番号（公開出願番号）：特開2004-152884
出願日： 2002年10月29日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】本発明はバイパスコンデンサとしてのキャパシタ部を備えた半導体装置用基板に関し、キャパシタ部を絶縁層の積層する途中の過程で作り込むことによってインダクタンスを極く小さくして、半導体素子の動作周波数が高周波数化した場合にも半導体素子に供給する電源電圧の安定化を図ることができるようにすることを課題とする。【解決手段】半導体装置用基板30は、絶縁層31、32,33が積層してある多層回路基板であり、上側に半導体素子搭載面36を有する。絶縁層33はベークされた有機ポリシラン製の層である。キャパシタ部50は絶縁層33と絶縁層32との間に作り込まれており、電源供給導電経路44と接地導電経路45とに接続されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の絶縁層が積層された構造であり、半導体素子が搭載される半導体素子搭載面を有する構成の半導体装置用基板であって、 電極が誘電体部を挟んで対向する構造のキャパシタ部が、積層されている絶縁層の間に作り込まれている構成としたことを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (2件)：
H01L23/12 ,  H05K3/46
FI (4件)：
H01L23/12 B ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 T ,  H01L23/12 N
Fターム (15件)：
5E346AA12 ,  5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346CC08 ,  5E346CC21 ,  5E346CC46 ,  5E346DD17 ,  5E346DD23 ,  5E346DD24 ,  5E346EE31 ,  5E346FF07 ,  5E346FF15
引用特許：
出願人引用 (23件)
全件表示
審査官引用 (18件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM