特許
J-GLOBAL ID：200903029281004054

半導体装置及びその製造方法

発明者：
王 文生

王 文生 について

, 
倉澤 正樹

倉澤 正樹 について


出願人/特許権者：
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-044989
公開番号（公開出願番号）：特開2009-206189
出願日： 2008年02月26日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：
【課題】配向が優れた誘電体膜の存在に基づいて高いスイッチング電荷量を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】Ir膜23を形成した後、このIr膜23上にIr酸化膜を形成する。次に、MOCVD法によりIr酸化膜上に初期PZT膜25aを形成すると共に、Ir酸化膜を還元によりIr膜24aに変化させる。次に、初期PZT膜25a上に、初期PZT膜25aよりも厚く、初期PZT膜25aよりも酸化度が高いコアPZT膜25bを形成する。【選択図】図1F
請求項（抜粋）：
基板の上方に下部電極を形成する工程と、 前記下部電極上に酸化物誘電体膜を形成する工程と、 前記酸化物誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、 を有し、 前記下部電極を形成する工程は、 第1の貴金属膜を形成する工程と、 前記第1の貴金属膜上に貴金属酸化膜を形成する工程と、 を有し、 前記酸化物誘電体膜を形成する工程は、 有機金属化学気相成長法により前記貴金属酸化膜上に下層膜を形成すると共に、前記貴金属酸化膜を還元して第2の貴金属膜に変化させる工程と、 前記下層膜上に、前記下層膜よりも厚く、前記下層膜よりも酸化度が高いコア膜を形成する工程と、 を有し、 前記下層膜を前記コア膜よりも低い速度で成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/316
FI (5件)：
H01L27/10 444B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 Y ,  H01L21/316 M ,  H01L21/316 P
Fターム (36件)：
5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD02 ,  5F058BD05 ,  5F058BE01 ,  5F058BF06 ,  5F058BF12 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (29件)
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審査官引用 (3件)

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