CMP用のカスタマイズされた研磨パッド、ならびにその製造方法および使用

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-556409
公開番号（公開出願番号）：特表2008-546167
出願日： 2006年02月21日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

本出願は、基板の化学機械平坦化(CMP)用の研磨パッド、ならびにその加工方法および使用方法に関する。本発明に記載の当該パッドは、研磨仕様にカスタマイズされ、当該仕様には、研磨対象の材料、チップ設計およびアーキテクチャ、チップ密度およびパターン密度、機器プラットフォーム、ならびに使用されるスラリーの種類を含む(がこれらに限定されない)。これらのパッドは、優れた熱機械特性を実現する分子レベル調整を可能にする、長距離または短距離秩序を持つ特殊な高分子ナノ構造を考慮して設計することができる。より具体的には、パッド内において化学的および物理的特性の均一と不均一両方の空間分布があるように、当該パッドを設計および加工することができる。

請求項（抜粋）：

基板を研磨するための統一研磨パッドを備える物品であって、前記パッドは、前記パッド内の第一および第二の領域において異なる特性を有するポリマーを含み、前記パッドは、同一の動作条件下において比較統一パッドと比較した場合に、前記基板について、前記統一研磨パッドの前記異なる領域に対応する領域内では均一であるが他の部分では前記統一研磨パッドと同一である、高い平坦性または収量を提供する、物品。

IPC (2件)：

H01L 21/304 , B24B 37/00

FI (3件)：

H01L21/304 622F , B24B37/00 C , B24B37/00 P

Fターム (8件)：

3C058AA04 , 3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AC02 , 3C058BA01 , 3C058CB03 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (27件)

半導体素子の研磨平坦化装置及び研磨平坦化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-160685 出願人：沖電気工業株式会社
化学機械研磨の装置と方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-335746 出願人：茂徳科技股ふん有限公司, 台湾茂せき電子股ふん有限公司, シーメンス・アクチェンゲゼルシャフト
研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-361207 出願人：ティーディーケイ株式会社

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